เซมิคอนดักเตอร์ทำมาจากวัสดุอะไร?โมลิบดีนัมเป้าหมายการสปัตเตอร์สำหรับเซมิคอนดักเตอร์

ทุกวันนี้ เป้าหมายการสปัตเตอร์ถูกนำมาใช้ในการใช้งานที่หลากหลายตั้งแต่อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ไปจนถึงการเคลือบฟิล์มบางของวัสดุต่างๆ ในการประมวลผลวงจรรวมการสปัตเตอร์เป็นเทคนิคที่กำหนดไว้สำหรับการวางฟิล์มบางของวัสดุหลากหลายชนิดลงบนพื้นผิวที่มีรูปร่างและขนาดต่างๆเพื่อให้ได้คุณสมบัติตามที่ต้องการในฟิล์มที่เคลือบด้วยสปัตเตอร์ วัสดุการผลิตและกระบวนการที่ใช้ในการสร้างเป้าหมายของสปัตเตอร์นั้นมีความสำคัญด้านล่างเราจะดูที่เป้าหมายการสปัตเตอร์โมลิบดีนัมสำหรับเซมิคอนดักเตอร์

นอกจากเป้าหมายที่เป็นโลหะบริสุทธิ์ เช่น ทังสเตน โมลิบดีนัม ไนโอเบียม ไททาเนียม และซิลิคอนแล้ว ยังมีเป้าหมายที่เป็นโลหะผสม เช่น ทังสเตน โมลิบดีนัม ไททาเนียม ซิลิคอน และแทนทาลัม ตลอดจนสารประกอบ เช่น ออกไซด์หรือไนไตรด์กระบวนการกำหนดวัสดุมีความสำคัญพอ ๆ กับพารามิเตอร์การทำงานของการสะสมตัวที่วิศวกรและนักวิทยาศาสตร์สมบูรณ์แบบในระหว่างกระบวนการเคลือบ

ฟิล์มสปัตเตอร์มีการยึดเกาะกับซับสเตรตได้ดีกว่าเมื่อเทียบกับวิธีการเคลือบอื่นๆ และวัสดุที่มีจุดหลอมเหลวสูงมาก เช่น โมลิบดีนัมและทังสเตนก็สามารถสปัตเตอร์ได้ง่ายเช่นกันนอกจากนี้ การสปัตเตอร์สามารถทำได้จากบนลงล่าง ในขณะที่การระเหยสามารถทำได้จากล่างขึ้นบนเท่านั้น

โดยทั่วไปแล้วเป้าหมายการสปัตเตอร์จะเป็นทรงกลมหรือสี่เหลี่ยม แต่ยังมีรูปทรงอื่นๆ ให้เลือก รวมถึงการออกแบบสี่เหลี่ยมจัตุรัสและสามเหลี่ยมวัสดุพิมพ์เป็นวัตถุที่จะเคลือบ ซึ่งอาจรวมถึงเซมิคอนดักเตอร์เวเฟอร์ เซลล์แสงอาทิตย์ องค์ประกอบทางแสง หรือความเป็นไปได้อื่นๆ อีกมากมายความหนาของสารเคลือบมักอยู่ในช่วงของอังสตรอมถึงไมครอนเมมเบรนสามารถเป็นวัสดุเดียวหรือหลายวัสดุในโครงสร้างหลายชั้น

โมลิบดีนัมเป็นโลหะทนไฟที่มีการใช้งานที่หลากหลาย โมลิบดีนัมมีคุณสมบัติเชิงกลที่ดีเยี่ยม มีการขยายตัวต่ำ มีค่าการนำความร้อนสูง และมีค่าการนำไฟฟ้าสูงมากที่อุณหภูมิสูงในฐานะที่เป็นเป้าหมายการสปัตเตอร์ มีการผสมผสานที่หลากหลาย เช่น เป้าหมายโมลิบดีนัมบริสุทธิ์ เป้าหมายโมลิบดีนัมไททาเนียม โมลิบดีนัมเป้าหมายแทนทาลัม โมลิบดีนัมเป้าหมายโลหะผสม (เช่นเพลท TZM)

เป้าหมายการสปัตเตอร์โมลิบดีนัมมีลักษณะของความบริสุทธิ์สูง ความหนาแน่นสูง เม็ดละเอียด และสม่ำเสมอ เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพการสปัตเตอร์ที่สูงมาก ความหนาของฟิล์มสม่ำเสมอ และพื้นผิวกัดเรียบในระหว่างกระบวนการสปัตเตอร์